¿Cuándo se aplica una tensión a un semiconductor los huecos fluyen?

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Semiconductor tipo P

Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

Se dice pues que la corriente que circula por un semiconductor posee dos contribuciones: una debida a movimiento de electrones (con carga negativa) hacia el polo positivo y otra debida a movimiento de huecos (con carga positiva) hacia el polo negativo.

Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa. Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la región cerca de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexión".

Los semiconductores también se utilizan para la fabricación de transistores o amplificadores de corriente. Ya que son elementos fundamentales para la producción de los dispositivos de consumo que utilizamos de manera cotidiana.

Un hueco de electrón , o simplemente hueco,​ es la ausencia de un electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa sin el «hueco». Una banda de valencia completa (o casi completa) es característica de los aislantes y de los semiconductores.

Lo portadores transportan cuando se impone un campo eléctrico en el semiconductor. Los electrones se mueven en la dirección opuesta neta del campo eléctrico. Los huecos se mueven en la dirección neta del campo eléctrico.

El movimiento de las cargas eléctricas a través de un medio conductor se conoce como corriente eléctrica, y se origina al poner en contacto dos elementos entre los que hay una diferencia de potencial.

El dopado de materiales semiconductores se realiza a través del agregado de impurezas a la red cristalina del semiconductor original, modificando de esta manera las propiedades eléctricas del material.

Gracias a que tienen un tipo de resistividad al paso de la electricidad intermedia, los semiconductores tienen la cualidad de ser conductores de la electricidad cuando aumenta la temperatura y ser resistentes en condiciones de temperatura normal.

Tensión inversa de pico de trabajo (V_RWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Esa es una zona o región aislada, libre de portadores energéticos, que se origina alrededor del punto de unión de los dos materiales semiconductores dopados de diferente forma y que poseen también polaridades diferentes.

Los semiconductores son materiales que pueden comportarse como conductores eléctricos o como aislantes eléctricos, dependiendo principalmente de las condiciones de temperatura en que se encuentren, o el tipo y nivel de impurezas presentes en su estructura. Actualmente el semiconductor más importante es el silicio.

Los semiconductores más comunes y empleados en la industria son:

El silicio semiconductor sirve como material base para el microchip, también conocido como circuito integrado o circuito integrado monolítico, un componente utilizado en casi todos los dispositivos electrónicos modernos. Una gran cantidad de pequeños MOSFET se utilizan en la creación de microchips.

El flujo de electrones. Los 'huecos' son una ayuda para describir el lugar hacia donde pueden ir los electrones. Como en realidad son un lugar y no tienen una existencia física real, considerar si fluyen o no en realidad no tiene ningún significado.

Ión: Partícula cargada que se origina cuando un átomo pierde o gana electrones. Su carga es igual al número de electrones perdidos (ión positivo) o ganados (ión negativo). Hueco: Ausencia de un electrón en un enlace covalente. Su carga asociada es la del electrón con signo +.

Thomson con tubos de rayos catódicos mostraron que todos los átomos contienen pequeñas partículas subatómicas con carga negativa, llamadas electrones. El modelo del budín de pasas de Thomson para el átomo consiste en electrones con carga negativa ("pasas") dentro de un "budín" con carga positiva.

Ejemplo: los materiales como el cobre, la plata, el oro, el aluminio, etc. Son aquellos materiales que impiden notablemente el desplazamiento de las cargas eléctricas a través de su masa, es decir, ofrecen una gran resistencia eléctrica. Ejemplo: madera, vidrio, caucho, plástico, etc.

Si la pregunta es si la corriente pueden viajar en el espacio sin un soporte material de ningún tipo, la respuesta es “No. Para que una corriente eléctrica viaje en el vacío necesitas mover físicamente partículas cargadas, por ejemplo, electrones, partículas alfa o iones de cualquier tipo”.

La corriente eléctrica es un fenómeno físico causado por el desplazamiento de una carga (ión o electrón). En el caso de un conductor metálico, son principalmente los electrones los que toman parte en la corriente. La intensidad de la corriente es la cantidad de carga que pasa por un conductor por unidad de tiempo.

La energía eléctrica es un tipo de energía que consiste en el movimiento de los electrones entre dos puntos cuando existe una diferencia de potencial entre ellos, lo cual permite generar la llamada corriente eléctrica. Veamos un ejemplo práctico para comprenderlo mejor.

La corriente directa (CD) o corriente continua (CC) es aquella cuyas cargas eléctricas o electrones fluyen siempre en el mismo sentido en un circuito eléctrico cerrado, moviéndose del polo negativo hacia el polo positivo de una fuente de fuerza electromotriz (FEM).

El sentido convencional de una corriente continua es el contrario al que seguirían los electrones, es decir, el que seguirían los iones positivos.

Para aumentar la conductividad (que sea más conductor) de un SC (Semiconductor), se le suele dopar o añadir átomos de impurezas a un SC intrínseco, un SC dopado es un SC extrínseco. Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo).

En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.